_ NIKKOHM Advanced Thinfilm Technology
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会社経歴

     
   
2014/12 平成26年12月 設備、検査設備角板形金属皮膜抵抗器自動検査装置増設
2014/03 平成26年3月 設備、生産設備インラインスパッタ装置増設
2014/03 平成26年3月 精密ネットワークMC, MCL 販売終了
2014/01 平成26年1月 電流シャントWSL, RCS, NS, NSS 販売終了
2013/09 平成25年9月 みずほ銀行保証、社債発行
2012/12 平成24年12月 Multi-Junction Thermal Converter with Improved FrequencyCharacteristics between 10 Hz and 1 MHz 電気学会論文誌掲載
2012/12  平成24年12月 新製品、精密巻線抵抗器、UTシリーズ、UBシリーズ、UALシリーズ、Sシリーズ発売
2012/10 平成24年12月 設備、大型厚膜焼成炉を設備投資
2012/06 平成24年 6月 新製品薄型高電力抵抗器、RPL320発売 
2012/06 平成24年 2月 産総研、薄膜型サーマルコンバータ素子作製・劣化防止及び歩留り向上技術の開発、完了
2011/12 平成23年12月 設備、高性能セラミックダイサ設備投資
2011/06 平成23年 6月 産総研、薄膜型サーマルコンバータ素子作製・劣化防止及び歩留り向上技術の開発、受託
2011/04 平成23年 4月 新製品小型D-PAKサイズ、新製品RNF25発売 
2011/02 平成23年 2月 ミサワ株式会社設立 
2010/06 平成22年 6月 産総研、薄膜型サーマルコンバータ素子作製・劣化防止及び歩留り向上技術の開発、受託
2010/04 平成22年 4月  新製品、0.25%級精密シャント抵抗NSシリーズ発売
2009/06 平成21年 6月 産総研、薄膜型サーマルコンバータ素子作製・劣化防止及び歩留り向上技術の開発、受託
2009/ 2 平成21年 2月 経済産業省推進プロジェクト「東北を元気にするIT経営実践企業ベストモデル賞」を受賞。
2008/ 9 平成20年 9月 新製品TO263抵抗器、RNP-20E、RNP-20F発売。
2008/ 9 平成20年 9月 新製品MCMシリーズ発売。
2008/ 9 平成20年 9月 みずほ銀行保証、社債発行。
2008/ 4 平成20年 4月 新製品、RFT、RFR、RFA001シリーズ発売。
2007/10 平成19年10月 青森放送(RAB)取材、東奥日報取材。
2007/ 9 平成19年 9月 ISO9001認証取得。
2007/ 6 平成19年 6月 設備、レーザトリミング装置を設備投資。
2007/ 6 平成19年 6月 2007年度経済産業省中小企業庁[元気なモノ作り中小企業300社]に選定。
2007/ 4 平成19年 4月 設備、めっき、エッチング装置、設備投資
2006/11 平成18年11月 設備、モールドプレスを増設、設備投資。
2006/ 4 平成18年 4月 新製品、SOT227高電力抵抗器、RPJ、RPG、RPK、RPMの開発発売。
2006/ 4 平成18年 4月 ISO9001認証取得プロジェクトをキックオフ。
2006/ 4 平成18年 4月 新生産管理システム、PRONES、を稼動開始。
2005/ 7 平成17年 7月 設備、レーザトリミング装置を設備投資。
2005/ 4 平成17年 4月 中小企業の会計に関する指針に適合する決算を開始。
2005/ 4 平成17年 4月 産業技術総合研究所との共同研究成果による新製品、JSTCならびにHF-TVCの製品化、発売開始。米国商務省標準研究所に納入、カナダ国家標準研究所に納入。
2004/12 平成16年12月 設備、新製品生産のため、セラミックスダイサを設備投資。
2004/ 9 平成16年 9月 青森銀行三沢支店との取引開始。
2004/ 9 平成16年 9月 生産能力拡大のために、セラミックスレーザ加工機を設備投資。
2004/ 7 平成16年 7月 平成16年度青森県地域産業技術開発研究補助金研究、[大電力高周波終端器の開発]を実施。
2004/ 3 平成16年 3月 資本金364百万円を20百万円に変更。
2003/10 平成15年10月 高熱伝導セラミクスを用いたRFソリューション製品RFTF、RFRF、RFHなどの新製品開発発売
2003/ 5 平成15年 5月 産業技術総合研究所の平成15年度中小企業技術発掘改良研究を受託、[交流電圧標準のためのマルチジャンクションAC/DC変換素子]の研究着手。
2002/ 4 平成14年 4月 高電力抵抗器,RNP50U、RNP100Sの開発発売
2002/ 3 平成14年 3月 平成13年度青森県地場産業技術開発研究費補助金、[スパッタ薄膜による超精密抵抗器試作]実施。
2001/ 7 平成13年 7月 RFスパッタ装置を取得、稼動開始。
2001/ 4 平成13年 4月 超精密抵抗器RP48、RP46の開発発売。
2000/ 4 平成12年 4月 生産能力増強のために自動テーピング装置2号機の取得,稼動.
2000/ 4 平成12年 4月 精密チップ抵抗器,NQAシリーズを発売
2000/ 4 平成12年 4月 2端子ミリオーム抵抗器WSLの開発発売。
1999/ 9 平成11年 9月 生産能力増強のために自動テーピング装置1号機の取得,稼動.
1999/ 9 平成11年 9月 精密抵抗器RP48の開発発売
1999/ 9 平成11年 9月 精密パワーチップ抵抗器RPC,RTCの開発発売.
1999/ 9 平成11年 9月 高電力抵抗器,RNP50Sの開発発売.
1999/ 9 平成11年 9月 4端子ミリオーム抵抗器RAH10の開発発売.
1999/ 9 平成11年 9月 4端子ミリオーム抵抗器RCSの開発発売.
1999/ 9 平成11年 9月 メタルクラッド巻線抵抗器IRP、IRH、IRVを発売.
1999/ 3 平成11年 3月 経営効率化のために子会社3社を整理.
1998/ 9 平成10年 9月 1ppmTCR、0.01%精度の超精密抵抗器の基礎研究を着手.
1998/ 8 平成10年 8月 東京支社を東京都中央区日本橋人形町に移転、経営効率を高めるためIT化営業体制を開始.
1998/ 6 平成10年 6月 平成10年度青森県地場産業技術開発研究費補助金によって,[高電力抵抗器の研究開発]開始.
1998/ 4 平成10年 4月 マイクロ波用高周波減衰器終端器を開発,生産販売を開始.
1997/ 9 平成 9年 9月 ビシェイによるニッコーム製品の海外販売を開始.
1997/ 4 平成 9年 4月 超小型精密薄膜抵抗器シリーズの輸入販売を開始.
1995/ 4 平成 7年 4月 精密巻線抵抗器の輸入販売を開始.
1995/ 2 平成 7年 2月 ビシェイ・インターテクノロジ・インコーポレーテッドと業務提携.
1994/10 平成 6年10月 全自動塗装装置を稼働.
1994/ 4 平成 6年 4月 精密薄膜抵抗器,RP-46を開発,生産販売を開始.
1994/ 4 平成 6年 4月 精密複合抵抗器,2M-00を開発,生産販売を開始.
1994/ 4 平成 6年 4月 電力機器用水冷金属板高電力抵抗器,RPH-2000Fを開発,生産販売を開始.
1993/12 平成 5年12月 精密複合抵抗器用自動全数検査装置を開発,稼働.
1992/ 2 平成 4年 2月 表面実装精密薄膜抵抗器,MC-16を開発,生産販売を開始.
1991/12 平成 3年12月 高電力抵抗器RNP-5を開発,生産販売を開始.
1991/10 平成 3年10月 青森県上北郡上北町に工場用地を取得.機能部品工場を稼働.
1991/ 3 平成 3年 3月 機能部品の生産能力増強のため有限会社ニッコーム計測を設立.
1989/11 平成 1年11月 東京支社を東京都中央区日本橋掘留町に移転.
1989/10 平成 1年10月 機能部品の生産能力増強のため有限会社ニッコーム電子を設立.
1989/ 9 平成 1年 9月 オムロン株式会社と技術提携.増資により資本金364百万円.
1988/ 8 昭和63年 8月 昭和63年度通産省技術改善費補助金によって[薄膜熱電対センサの研究]を開始.
1988/ 4 昭和63年 4月 機能部品,磁気ヘッド工場を稼働開始.
1987/ 4 昭和62年 4月 複合抵抗器の自動全数検査装置を開発,稼働開始.
1986/12 昭和61年12月 角板形金属皮膜抵抗器の自動全数検査装置を開発,稼働開始.
1986/ 6 昭和61年 6月 代表取締役に日髙 滋就任.
1986/ 4 昭和61年 4月 TO220形無誘導高電力抵抗器RNP-10を開発発売.
1986/ 2 昭和61年 2月 小野田セメント株式会社と技術提携.増資により資本金300百万円.
1985/ 1 昭和60年 1月 本社工場を増設し,角板形金属皮膜抵抗器小型シリーズの生産能力を増強.
1984/ 8 昭和59年 8月 昭和59年度通産省技術改善費補助金によって[薄膜磁気ヘッドの研究]を開始.
1983/10 昭和58年10月 代表取締役に伊藤富夫就任.
1983/ 1 昭和58年 1月 東京支社を東京都渋谷区から東京都中央区日本橋茅場町に移転.
1982/ 8 昭和57年 8月 増資により資本金90百万円.
1982/ 8 昭和57年 8月 昭和57年度通産省技術改善費補助金によって[厚膜焦電素子の研究]を開始.
1982/ 7 昭和57年 7月 薄膜部品生産能力増強のため有限会社三沢精密を設立.
1981/ 2 昭和56年 2月 レーザトリマ装置,レーザスクライバ装置を設備.
1978/ 8 昭和53年 8月 増資により資本金40百万円.
1974/ 1 昭和49年 1月 輻射エネルギセンサを開発,生産販売を開始.
1973/10 昭和48年10月 ブランド名を利用し社名をニッコーム株式会社に変更.
1973/ 6 昭和48年 6月 増資により資本金20百万円.
1972/ 7 昭和47年 7月 代表取締役に藤井賢三郎就任.
1970/ 3 昭和45年 3月 工場を増設し,複合抵抗器の生産を開始.
1968/ 9 昭和43年 9月 マイクロ波用平板抵抗器の生産を開始.
1967/ 2 昭和42年 2月 東京事務所を開設.三沢工場に生産設備を設置して角板形金属皮膜抵抗器の生産を開始.
1966/ 9 昭和41年 9月 薄膜抵抗体製造のため,株式会社日本高周波三沢製作所を設立,資本金10百万円.


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